氟化氬光刻機(jī)、5-3納米刻蝕機(jī)、DDR5芯片相繼突破：誰能阻止中國芯的絕地反擊！

突破！突破！突破！

2024年是我國半導(dǎo)體行業(yè)面對某西方大國的極限施壓絕地反擊的一年。雖然風(fēng)愈大、雨愈急，西方大國的制裁手段越來越嚴(yán)厲，但我們不僅穩(wěn)住了陣腳，更用一個又一個的技術(shù)突破、市場突破，向世界證明我們的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是打不倒、壓不垮的。

面對技術(shù)封鎖，國產(chǎn)DDR5芯片問世、工信部開始推廣國產(chǎn)氟化氬光刻機(jī)、中微公司著手研制用于 5-3 納米邏輯芯片制造的ICP 刻蝕機(jī)，將首先被應(yīng)用在國內(nèi)正在大力發(fā)展的邏輯芯片制造廠家；

面對貿(mào)易爭端，中國集成電路出口金額再次突破1萬億元、中芯國際成長為世界第三大半導(dǎo)體代工廠商；

面對金融限制，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)再掀上市潮流，地平線、聯(lián)蕓科技、摩爾線程等細(xì)分領(lǐng)域領(lǐng)域紛紛登陸或正在登錄資本市場。

歲月無聲，風(fēng)過留痕，現(xiàn)在讓我們來見證在我國半導(dǎo)體發(fā)展史上留下濃墨重彩的2024年！

芯片篇

國產(chǎn)DDR5芯片上市 據(jù)傳為長鑫出品

近期，金百達(dá)和光威悄然上架了一款DDR5內(nèi)存產(chǎn)品，和其他內(nèi)存產(chǎn)品不同，該內(nèi)存的產(chǎn)品介紹上赫然寫著“國產(chǎn)首款DDR5內(nèi)存顆粒”。這標(biāo)志繼DDR3、DDR4內(nèi)存后，DDR5內(nèi)存也正式完成了國產(chǎn)化，補(bǔ)齊了國產(chǎn)DDR內(nèi)存最后一塊短板。

據(jù)相關(guān)報道，金百達(dá)和光威使用的是長鑫的DDR5內(nèi)存顆粒。目前長鑫DDR5內(nèi)存顆粒的良品率已經(jīng)穩(wěn)定在80%左右，隨著繼續(xù)改進(jìn)，預(yù)計到明年底可以提升到90%左右。

國產(chǎn)高端CMOS芯片大規(guī)模出貨

過去高端智能手機(jī)攝像頭使用的CMOS芯片一直被索尼所壟斷。不過今年，以韋爾股份、格科微、思特威為代表的國內(nèi)廠商的高端CMOS芯片在市場方面取得了突破，進(jìn)入大規(guī)模應(yīng)用階段。

在公司公告中，韋爾股份表示：“公司5000萬像素的系列產(chǎn)品已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用于國內(nèi)主流高端智能手機(jī)后置主攝傳感器方案中，正逐步替代海外競爭對手的同類產(chǎn)品， 實現(xiàn)了公司在高端智能手機(jī)領(lǐng)域市場份額的重大突破?！?/p>

據(jù)傳華為推出昇騰910C 性能接近英偉達(dá)A100

據(jù)相關(guān)報道，華為已經(jīng)推出了昇騰910C芯片，預(yù)計在今年第四季度推出樣機(jī)，2025年第一季度將實現(xiàn)量產(chǎn)。性能方面，16卡設(shè)計的昇騰910C算力提升是910B 8卡設(shè)計的2.5倍，可以平替NVIDIA H100。

設(shè)備篇

中微公司著手研制用于 5-3 納米邏輯芯片制造的ICP 刻蝕機(jī)

中微公司財報顯示，公司正在研制用于 5-3 納米邏輯芯片制造的ICP 刻蝕機(jī) ，目前Beta 機(jī)臺繼續(xù)在客戶端開展更多制程的驗證。

根據(jù)公告，該項目的研發(fā)目標(biāo)是：研制成功 5 納米的刻蝕設(shè)備并完成在先進(jìn)邏輯芯片生產(chǎn)廠家的評估，并實現(xiàn)銷售。完成 3 納米刻蝕機(jī) Alpha 原型機(jī)的設(shè)計、制造、測試及初步的工藝開發(fā)和評估。

具體應(yīng)用前景是：項目開發(fā)的設(shè)備產(chǎn)品將首先被應(yīng)用在國內(nèi)正在大力發(fā)展的邏輯芯片制造廠家，主要包括中芯國際、華力微電子等重要客戶。將對高端設(shè)備國產(chǎn)化產(chǎn)生重大的效益和影響。同時，也會盡可能地開發(fā)國際市場如臺積電等。

工信部推廣國產(chǎn)氟化氬光刻機(jī)

今年9月，工信部發(fā)布了《首臺（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄（2024年版）》。其中，在電子專用設(shè)備一欄，氟化氪光刻機(jī)、氟化氬光刻機(jī)位列其中。

根據(jù)目錄，氟化氪光刻機(jī)晶圓直徑為300mm（12英寸）；照明波長為248mm；分辨率≤110nm；套刻≤25nm；氟化氬光刻機(jī)，其照明波長為193mm，分辨率≤65nm；套刻≤8nm。

氟化氬光刻機(jī)性能與ASML旗下TWINSCAN XT：1460K最為接近。該型號照明波長為193mm，分辨率≤65nm。此外，該系統(tǒng)可以在偏振照明下實現(xiàn)低至57nm的生產(chǎn)分辨率。

其他

中國芯片出口額再破萬億

海關(guān)總署發(fā)布了2024年前11個月中國貨物貿(mào)易進(jìn)出口數(shù)據(jù)顯示，2024年前11個月中國集成電路出口金額達(dá)1.03萬億元，同比增長20.3%。這是繼2022年后，中國集成電路出口金額再次突破萬億元。

中芯國際首次升至全球第三大晶圓代工廠

根據(jù)研究機(jī)構(gòu) Counterpoint 的 5 月 22 日報告，中芯國際在 2024 年第一季度躍升至全球第三大晶圓代工廠，僅次于臺積電、三星，市場份額 6%。

據(jù)了解，中芯國際 2024 年 Q1 營收 17.5 億美元（當(dāng)前約 126.88 億元人民幣），同比增長 19.7%，環(huán)比增長 4.3%。這是中芯國際季度營收首次超越聯(lián)電與格芯兩家芯片大廠。

中國半導(dǎo)體企業(yè)再掀上市潮

2024年是我國半導(dǎo)體行業(yè)上市“大年”。車規(guī)級芯片龍頭地平線、主控芯片龍頭聯(lián)蕓科技、氮化鎵龍頭英諾賽科等相繼上市。此外，國產(chǎn)GPU行業(yè)龍頭摩爾線程、燧原科技、壁仞科技等相繼啟動了IPO上市進(jìn)程，國產(chǎn)12英寸硅片龍頭奕斯偉上市申請已被科創(chuàng)板受理。