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手機也要上HBM芯片?三星計劃推出移動版HBM,預計首款產(chǎn)品2028年上市

2025/2/20 18:53:59      挖貝網(wǎng) 周路遙

近年來,隨著AI的興起,一種具有高帶寬低功耗特征的存儲芯片——HBM芯片也隨之爆火,包括  NVIDIA H100、AMD MI300等均使用了HBM芯片?,F(xiàn)在,三星計劃進一步擴大HBM芯片的使用范圍,將其帶到手機市場。

據(jù)韓國首爾經(jīng)濟日報報道,三星電子半導體暨裝置解決方案(DS)部門首席技術官宋在赫表示,搭載LPW DRAM內(nèi)存的首款移動產(chǎn)品將在2028年上市。LPW DRAM通過堆疊LPDDR DRAM,大幅增加I/O接口,可減少耗電量并提高性能,采用垂直引線鍵合的新封裝技術,被譽為“移動HBM”。其帶寬可達200GB/s以上,較現(xiàn)有的LPDDR5x提升166%。

據(jù)了解,HBM為High Bandwidth Memory縮寫,意即高帶寬內(nèi)存。這是一種基于3D堆疊技術的高性能動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM),專為需要極高數(shù)據(jù)帶寬的應用設計。它通過垂直堆疊多層DRAM芯片,利用**硅通孔(TSV)和中介層(Interposer)**實現(xiàn)與處理器(如GPU、CPU、AI加速器)的高速互聯(lián),顯著提升內(nèi)存帶寬和能效。

舉例來說,單顆HBM芯片帶寬可達數(shù)百GB/s至數(shù)TB/s(例如HBM3單堆棧帶寬達819 GB/s);同時,相比GDDR6,得益于短距離互連和先進制程,HBM在相同帶寬下功耗降低約50%。